Zobrazeno 1 - 10 of 74 pro vyhledávání: '"Birla, Shilpi"'
3
Akademický článek
A review on effect of various high-k dielectric materials on the performance of FinFET device
Autor: Kumar, Jeetendra, Birla, Shilpi, Agarwal, Garima
Publikováno v: In Materials Today: Proceedings 2023 79 Part 2:297-302
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tunnel field effect transistor device structures: A comprehensive review
Autor: Kumar Kumawat, Pradeep, Birla, Shilpi, Singh, Neha
Publikováno v: In Materials Today: Proceedings 2023 79 Part 2:292-296
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
A low-power SRAM design with enhanced stability and ION/IOFF ratio in FinFET technology for wearable device applications.
Autor: Abbasian, Erfan1 (AUTHOR) erfan.cmu@gmail.com, Birla, Shilpi2 (AUTHOR), Sachdeva, Ashish3 (AUTHOR), Mani, Elangovan4 (AUTHOR)
Publikováno v: International Journal of Electronics. Oct2024, Vol. 111 Issue 10, p1724-1741. 18p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
High-Performance 10-Transistor Adder Cell for Low-Power Applications.
Autor: Misra, Aishani1 (AUTHOR) aisha4ni@gmail.com, Birla, Shilpi1 (AUTHOR) shilpibirla@gmail.com, Singh, Neha1 (AUTHOR) neha.singh@jaipur.manipal.edu, Dargar, Shashi Kant2 (AUTHOR) drshashikant.dragar@ieee.org
Publikováno v: IETE Journal of Research. Nov2023, Vol. 69 Issue 11, p8318-8336. 19p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Ultra-low-power and stable 10-nm FinFET 10T sub-threshold SRAM
Autor: Abbasian, Erfan, Birla, Shilpi, Gholipour, Morteza
Publikováno v: In Microelectronics Journal May 2022 123
Zobrazit plný text záznamu
8
Conference
Accessing dependability analysis against fault injection attacks in Robotics industry.
Autor: Kaur, Shaminder, Malhotra, Vikas, Singh, Neha, Birla, Shilpi, Sharma, Sandhya, Singh, Jaswinder
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; 2024, Vol. 3209 Issue 1, p1-11, 11p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Design and Optimization of a Heterojunction (Ge/Si) Vertical-Tunnel Field Effect Transistor (HV-TFET) with a Doped Bar for Low-Power Applications.
Autor: Kumawat, Pradeep Kumar, Birla, Shilpi, Singh, Neha
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; Jul2024, Vol. 53 Issue 7, p3933-3945, 13p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Leakage reduction technique for nano-scaled devices
Autor: Birla, Shilpi, Mahanti, Sudip, Singh, Neha
Publikováno v: Circuit World, 2020, Vol. 47, Issue 1, pp. 97-104.
Externí odkaz: http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/CW-12-2019-0195
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje