Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"Billoué, Jérôme"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Guillon, Virgil, Riou, Benoit, Billoué, Jérôme, Defforge, Thomas, Gardes, Pascal, Bah, Micka, Gautier, Gaël
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/21/2022, Vol. 132 Issue 23, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2016 116:12-14
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Silva de Vasconcellos, Douglas, Dailleau, Romain, Grimal, Virginie, Defforge, Thomas, Billoue, Jérôme, Gautier, Gaël
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 15 March 2023 156
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Defforge, Thomas, Granitzer, Petra, Billoué, Jérôme, Le Borgne, Brice, Gautier, Gaël, Rumpf, Klemens
We describe the preparation of porous silicon (PS) films functionalized with magnetic cobalt nanoparticles (NPs) for microelectronic device RF applications. The addition of magnetic NPs to the PS layer is expected to limit the electrical lossesof the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______166::998e82f7ab7a9aa5086cab508eb9c0ce
https://hal.science/hal-03980717
https://hal.science/hal-03980717
A medium-k Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitor based on a 11 nm thick ZrO2/Al2O3/ZrO2 dielectric layer stack was performed using Atomic Layer Deposition (ALD) in silicon trenches with a high aspect ratio of 40 to enhance capacity density. The two e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______166::11ff8fb73416ef8f0a0b0b81111f3a1f
https://hal.science/hal-03980956
https://hal.science/hal-03980956