Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Development of plasma etching processes for the integration of III-V semicondutors as trigate nMOSFET’s channels

Autor: Bizouerne, M., Pargon, E., Burtin, P., Camille Petit-Etienne, Latu-Romain, E., Labau, S., Arnaud, S., David, S., Martin, M., Billaud, M.

Publikováno v: Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 9th International Workshop
Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 9th International Workshop, May 2016, Grenoble, France
HAL

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::71ff871405ffd97887aca063b2565481
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882457

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.