Zobrazeno 1 - 10
of 359
pro vyhledávání: '"Bietti S"'
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 10, Pp 1650-1653 (2010)
Abstract We present of a detailed photoluminescence characterization of high efficiency GaAs/AlGaAs quantum nanostructures grown on silicon substrates. The whole process of formation of the GaAs/AlGaAs active layer was realized via droplet epitaxy an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e97988b592774ee9bc7b33959ca34975
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 12, Pp 1897-1900 (2010)
Abstract We present the molecular beam epitaxy fabrication and optical properties of complex GaAs nanostructures by droplet epitaxy: concentric triple quantum rings. A significant difference was found between the volumes of the original droplets and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/88af9f167fc64938a200b3838dfe1d74
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 12, Pp 1865-1867 (2010)
Abstract We present the Molecular Beam Epitaxy fabrication of complex GaAs/AlGaAs nanostructures by Droplet Epitaxy, characterized by the presence of concentric multiple rings. We propose an innovative experimental procedure that allows the fabricati
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/84a3f6c969dc431db82a8e8ac2337677
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 12, Pp 1905-1907 (2010)
Abstract We propose a self-assembling procedure for the fabrication of GaAs islands by Droplet Epitaxy on silicon substrate. Controlling substrate temperature and amount of supplied gallium is possible to tune the base size of the islands from 70 up
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2adb575da0ef4d00826677a277e7485e
Autor:
Tuktamyshev, A., Fedorov, A., Bietti, S., Vichi, S., Zeuner, K. D., Jöns, K. D., Chrastina, D., Tsukamoto, S., Zwiller, V., Gurioli, M., Sanguinetti, S.
Publikováno v:
Applied Physics Letters 118, 133102 (2021)
We present self-assembly of InAs/InAlAs quantum dots by droplet epitaxy technique on vicinal GaAs(111)A substrates. The small miscut angle, while maintaining the symmetries imposed to the quantum dot from the surface, allows fast growth rate thanks t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2101.12237
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 11, Pp 1862-1862 (2010)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/00db73ede8444926b9fa3bbc39fca150
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 12, Pp 1992-1992 (2010)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2ed61e53acbe4c2abc56ab20db6fb77e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 February 2013 267:86-89