Zobrazeno 1 - 10 of 108 pro vyhledávání: '"Biersack, J. P."'
1
Akademický článek
Thermal behavior and range distribution of 209Bi implanted into the Al/V bilayer structure.
Autor: Olivieri, C. A., Behar, M., Grande, P. L., Fichtner, P. F. P., Zawislak, F. C., Biersack, J. P., Fink, D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/1988, Vol. 63 Issue 9, p4431, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Ion beam impact and penetration of polymethyl methacrylate.
Autor: Mladenov, G. M., Braun, M., Emmoth, B., Biersack, J. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1985, Vol. 58 Issue 7, p2534, 5p, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Depth profile and thermal annealing behavior of Bi implanted into an Al/Ti bilayer structure.
Autor: Olivieri, C. A., Behar, M., Fichtner, P. F. P., Zawislak, F. C., Fink, D., Biersack, J. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1985, Vol. 58 Issue 2, p659, 4p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Distributions of light ions and foil destruction after irradiation of organic polymers.
Autor: Fink, D., Biersack, J. P., Chen, J. T., Städele, M., Tjan, K., Behar, M., Olivieri, C. A., Zawislak, F. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1985, Vol. 58 Issue 2, p668, 9p, 18 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Computer simulation of the backscattering and implantation of hydrogen and helium.
Autor: Eckstein, W., Verbeek, H., Biersack, J. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1980, Vol. 51 Issue 2, p1194-1200, 7p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Mass and energy dependence of implanted ion profiles in the AZ111 photoresist.
Autor: Guimarães, R. B., Behar, M., Livi, R. P., de Souza, J. P., Zawislak, F. C., Fink, D., Biersack, J. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1986, Vol. 60 Issue 4, p1322, 3p, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
ENERGY DEPOSITION DISTRIBUTIONS CAUSED BY FAST NEUTRONS IN CONVERTER TYPE SILICON DETECTORS.
Autor: Schütz, R., Fehrenbacher, G., Biersack, J. P., Wielunski, M., Wahl, W.
Publikováno v: Radiation Effects & Defects in Solids; Apr2002, Vol. 157 Issue 4, p427-444, 18p, 4 Diagrams, 1 Chart, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje