Zobrazeno 1 - 10
of 185
pro vyhledávání: '"Biedermann, K A"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Paul, J., Beyer, V., Czernohorsky, M., Beug, M.F., Biedermann, K., Mildner, M., Michalowski, P., Schütze, E., Melde, T., Wege, S., Knöfler, R., Mikolajick, T.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2010 87(5):1629-1633
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lehninger, D., Ellinger, M., Ali, T., Li, S., Mertens, K., Lederer, M., Olivio, R., Kampfe, T., Hanisch, N., Biedermann, K., Rudolph, M., Brackmann, V., Sanctis, C., Jank, M., Seidel, K.
Thin-film transistors (TFTs) based on amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) have attracted vast attention for use in organic light-emitting diode (AMOLED) displays due to their high electron mobility and large current on off ratio. Although am
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::0eb3585ce4cfd1d4ed30970527b2d7d8
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/267819
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/267819
Autor:
Hampel, S., Leonhardt, A., Selbmann, D., Biedermann, K., Elefant, D., Müller, Ch., Gemming, T., Büchner, B.
Publikováno v:
In Carbon 2006 44(11):2316-2322
Autor:
Müller, C., Hampel, S., Elefant, D., Biedermann, K., Leonhardt, A., Ritschel, M., Büchner, B.
Publikováno v:
In Carbon 2006 44(9):1746-1753
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kramberger, C., Waske, A., Biedermann, K., Pichler, T., Gemming, T., Büchner, B., Kataura, H.
Publikováno v:
In Chemical Physics Letters 2005 407(4):254-259
Autor:
Lehninger, D., Olivo, R., Ali, T., Lederer, M., Kämpfe, T., Mart, C., Biedermann, K., Kühnel, K., Roy, L., Kalkani, M., Seidel, K.
The discovery of ferroelectricity in thin doped hafnium oxide films revived the interest in ferroelectric (FE) memory concepts. Zirconium‐doped hafnium oxide (HZO) crystallizes at low temperatures (e.g., 400 °C), which makes this material interest
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::dd7abfe00373416b432e790ce8025048
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/262773
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/262773