Zobrazeno 1 - 10
of 46
pro vyhledávání: '"Biasotto, C."'
Autor:
Hrauda, N., Zhang, J. J., Wintersberger, E., Etzelstorfer, T., Stangl, J., Carbone, D., Biasotto, C., Jovanovic, V., Nanver, L. K., Moers, J., Grützmacher, D., Bauer, G.
SiGe islands are used to induce tensile strain in the Si channel of Field Effect Transistors to achieve larger transconductance and higher current driveabilities. We report on x-ray diffraction experiments on a single fully-processed and functional d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1011.3978
Autor:
Nanver, L.K., Jovanović, V., Biasotto, C., Moers, J., Grützmacher, D., Zhang, J.J., Hrauda, N., Stoffel, M., Pezzoli, F., Schmidt, O.G., Miglio, L., Kosina, H., Marzegalli, A., Vastola, G., Mussler, G., Stangl, J., Bauer, G., van der Cingel, J., Bonera, E.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2011 60(1):75-83
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2008 516(21):7777-7782
Autor:
Biasotto, C.
Publikováno v:
None
The work presented in this thesis was performed in the context of the European Sixth Framework Program FP6 project “Disposable Dot Field Effect Transistor for High Speed Si Integrated Circuits”, referred to as the D-DotFET project. The project ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::07765923fd838885c47b4edc4ca33508
http://resolver.tudelft.nl/uuid:b742f141-1351-432f-b551-6249e65ce822
http://resolver.tudelft.nl/uuid:b742f141-1351-432f-b551-6249e65ce822
Publikováno v:
2009 17th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors; 2009, p1-7, 7p
Publikováno v:
2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon; 2009, p181-184, 4p
Autor:
Daltrini, A. M., Moshkalyov, S., Monteiro, M. J. R., Machida, M., Kostryukov, A., Besseler, E., Biasotto, C., Diniz, J. A.
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 2006, Vol. 875 Issue 1, p176-179, 4p, 7 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mestanza, S. N. M., Obrador, M. P., Rodriguez, E., Biasotto, C., Doi, I., Diniz, J. A., Swart, J. W.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; Mar/Apr2006, Vol. 24 Issue 2, p823-827, 5p, 8 Graphs