Zobrazeno 1 - 10
of 176
pro vyhledávání: '"Bias dependence"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Simone Gerardin, Stefano Bonaldo, Dimitri Linten, Robert A. Reed, Ronald D. Schrimpf, Bertrand Parvais, Daniel M. Fleetwood, Simeng E. Zhao, En Xia Zhang, V. Putcha, Alessandro Paccagnella
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 67:1312-1319
The total-ionizing-dose (TID) response of indium gallium arsenide (InGaAs) MOSFETs with Al2O3 gate dielectrics and several channel lengths is evaluated under different biases. DC static characteristics show large negative threshold voltage $V_{\text
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3bb9fd83be0c26960cd546327d96c81c
https://doi.org/10.1109/tns.2019.2963340
https://doi.org/10.1109/tns.2019.2963340
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alessandro Paccagnella, Simone Gerardin, Christian Enz, Stefano Bonaldo, Teng Ma, Andrea Baschirotto, Serena Mattiazzo
This article investigates the total ionizing dose (TID) degradation mechanisms of 16-nm bulk Si FinFETs at ultrahigh doses. n- and p-FinFETs with several channel lengths are irradiated up to 1 Grad(SiO2) and then annealed for 24 h at 100 degrees C. I
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e87cff4aca9ad92a0a29524a0559f251
https://hdl.handle.net/10281/417301
https://hdl.handle.net/10281/417301
Autor:
Nikolaos Mavredakis, David Jiménez, Wei Wei, Paulius Sakalas, Anibal Pacheco-Sanchez, Henri Happy, Emiliano Pallecchi
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2021, 69 (11), pp.4639-4646. ⟨10.1109/TMTT.2021.3105672⟩
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2021, 69 (11), pp.4639-4646. ⟨10.1109/TMTT.2021.3105672⟩
International audience; In this article, the bias dependence of intrinsic channel thermal noise of single-layer (SL) graphene field-effect transistors (GFETs) is thoroughly investigated by experimental observations and compact modeling. The findings
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1603c9ae9969b82ebceaee1d8dcf0631
https://hal.science/hal-03542154
https://hal.science/hal-03542154
Autor:
Pásztor, Árpád, Scarfato, Alessandro, Spera, Marcello, Flicker, Felix, Barreteau, Céline, Giannini, Enrico, van Wezel, Jasper, Renner, Christoph
Publikováno v:
Nature communications, Vol. 12, No 1 (2021) P. 6037
Nature Communications, Vol 12, Iss 1, Pp 1-6 (2021)
Nature Communications
Nature Communications, 12:6037. Nature Publishing Group
Nature Communications, Nature Publishing Group, 2021, 12 (1), ⟨10.1038/s41467-021-25780-4⟩
Nature Communications, Vol 12, Iss 1, Pp 1-6 (2021)
Nature Communications
Nature Communications, 12:6037. Nature Publishing Group
Nature Communications, Nature Publishing Group, 2021, 12 (1), ⟨10.1038/s41467-021-25780-4⟩
In the presence of multiple bands, well-known electronic instabilities may acquire new complexity. While multiband superconductivity is the subject of extensive studies, the possibility of multiband charge density waves (CDWs) has been largely ignore
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b991927da9b20008527b3b090d77aab9
https://archive-ouverte.unige.ch/unige:155494
https://archive-ouverte.unige.ch/unige:155494
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.