Zobrazeno 1 - 10
of 1 072
pro vyhledávání: '"BiCMOS Technology"'
Compact, High-Speed Mach-Zehnder Modulator With On-Chip Linear Drivers in Photonic BiCMOS Technology
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 64561-64570 (2024)
A monolithically integrated electronic-photonic Mach-Zehnder modulator is presented, incorporating electronic linear drivers along with photonic components. Electro-optical 3 dB & 6 dB bandwidths of 24 GHz and 34 GHz, respectively, were measured. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d1ec8adca49240bb92fa6d89bdbda916
Autor:
Blaise Ravelo, Mathieu Guerin, Jaroslav Frnda, Frank Elliot Sahoa, Glauco Fontgalland, Hugerles S. Silva, Samuel Ngoho, Fayrouz Haddad, Wenceslas Rahajandraibe
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 93084-93103 (2022)
The miniaturization and application development are the expected challenges on the today engineering design research on bandpass (BP) type negative group delay (NGD) circuit. To overcome this technical limit, an innovative contribution on integrated
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1e46beb274bd473b99d604321af2165a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 84282-84289 (2020)
In this paper, an octagonal shorted annular ring (OSAR) antenna array is presented based on 130-nm SiGe BiCMOS technology without any post-processes. The OSAR antenna consists of annular ring patch, an array of shorted pins and ground which is formed
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/484e4b21919947c8a876074a706759fc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
This letter presents the design and characterization results of a multi-octave power amplifier fabricated in a 0.13μm SiGe-BiCMOS technology. The single stage power amplifier is implemented as the stack of a cascode amplifier combining broadband inp
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A76612
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A76612/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A76612/attachment/ATT-0/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.