Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"Bhattacharya, Souvik"'
Autor:
Bhattacharya, Souvik, Boyd, Jonathan, Reichardt, Sven, Talebi, Amir Hossein, Maccaferri, Nicolò, Shenderova, Olga, Wirtz, Ludger, Strangi, Giuseppe, Sankaran, R. Mohan
Doped semiconductors are capable of exhibiting metallic-like properties ranging from superconductivity to tunable localized surface plasmon resonances. Diamond is a wide-bandgap semiconductor that is rendered electronically active by incorporating a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.12221
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bhattacharya, Souvik
The spread of fake news can have devastating ramifications, and recent advancements to neural fake news generators have made it challenging to understand how misinformation generated by these models may best be confronted. We conduct a feature-based
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2ad1fb3f75d17eb50b31ff24e90055bd
Publikováno v:
In Journal of Mathematical Analysis and Applications 1 March 2014 411(1):297-313
Publikováno v:
In Computers and Mathematics with Applications 2011 61(8):2172-2176
Autor:
Kang, Junzhe, Xu, Kai, Lee, Hanwool, Bhattacharya, Souvik, Zhao, Zijing, Wang, Zhiyu, Mohan Sankaran, R., Zhu, Wenjuan
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 2/20/2023, Vol. 122 Issue 8, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Cloud Applications & Computing; Oct-Dec2021, Vol. 11 Issue 4, p1-21, 21p