Zobrazeno 1 - 10 of 95 pro vyhledávání: '"Bhattacharya, Pallab K."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Growth of GaAs on SiOx by molecular-beam epitaxy.
Autor: Chin, Albert, Bhattacharya, Pallab K., Kothiyal, G. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1987, Vol. 62 Issue 4, p1416, 4p, 4 Black and White Photographs, 1 Chart, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Deep levels in as-grown and Si-implanted In0.2Ga0.8As–GaAs strained-layer superlattice optical guiding structures.
Autor: Dhar, Sunanda, Das, Utpal, Bhattacharya, Pallab K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1986, Vol. 60 Issue 2, p639, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Nature and distribution of electrically active defects in Si-implanted and lamp-annealed GaAs.
Autor: Dhar, Sunanda, Seo, Kwang S., Bhattacharya, Pallab K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/1985, Vol. 58 Issue 11, p4216, 5p, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Molecular beam epitaxial growth and photoluminescence of near-ideal GaAs-AlxGa1-xAs single quantum wells.
Autor: Juang, F.-Y., Nashimoto, Yasunobu, Bhattacharya, Pallab K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1985, Vol. 58 Issue 5, p1986, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Variation of refractive index in strained InxGa1-xAs-GaAs heterostructures.
Autor: Das, Utpal, Bhattacharya, Pallab K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1985, Vol. 58 Issue 1, p341, 4p, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Fe and Cr doping of liquid-phase epitaxial In0.53Ga0.47As/InP.
Autor: Rao, Mulpuri V., Bhattacharya, Pallab K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1985, Vol. 57 Issue 2, p333, 5p, 2 Black and White Photographs, 2 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Photoluminescence in Si-implanted InP.
Autor: Bhattacharya, Pallab K., Goodman, William H., Rao, Mulpuri V.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1984, Vol. 55 Issue 2, p509-514, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Growth and photoluminescence spectra of high-purity liquid phase epitaxial In0.53Ga0.47As.
Autor: Bhattacharya, Pallab K., Rao, Mulpuri V., Tsai, Ming-Jong
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1983, Vol. 54 Issue 9, p5096-5102, 7p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje