Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Bhattacharya, Indrasen"'
Autor:
Bhattacharya, Indrasen
III-V optoelectronic device integration in a CMOS post-process compatible manner is important for the intimate integration of silicon-based electronic and photonic integrated circuits. The low temperature, self-catalyzed growth of high crystalline qu
Externí odkaz:
http://pqdtopen.proquest.com/#viewpdf?dispub=10685771
Autor:
Kelly, Brett, Bhattacharya, Indrasen, Shusteff, Maxim, Panas, Robert M., Taylor, Hayden K., Spadaccini, Christopher M.
Most additive manufacturing processes today operate by printing voxels (3D pixels) serially point-by-point to build up a 3D part. In some more recently-developed techniques, for example optical printing methods such as projection stereolithography [Z
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.05893
Publikováno v:
In Additive Manufacturing November 2021 47
Autor:
Kelly, Brett E. (AUTHOR), Bhattacharya, Indrasen (AUTHOR), Heidari, Hossein (AUTHOR), Shusteff, Maxim (AUTHOR), Spadaccini, Christopher M. (AUTHOR), Taylor, Hayden K. (AUTHOR) hkt@berkeley.edu
Publikováno v:
Science. 3/8/2019, Vol. 363 Issue 6431, p1075-1079. 5p. 4 Diagrams.
Autor:
Lu, Fanglu, Bhattacharya, Indrasen, Sun, Hao, Tran, Thai-Truong D., Ng, Kar Wei, Malheiros-Silveira, Gilliard N., Chang-Hasnain, Connie
Supplementary document Originally published in Optica on 20 July 2017 (optica-4-7-717)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e0265cda631a64c136b65505e436701
Autor:
Bhattacharya, Indrasen
Publikováno v:
Bhattacharya, Indrasen. (2017). Nanophotonic Devices Based on Indium Phosphide Nanopillars Grown Directly on Silicon. UC Berkeley: Applied Science & Technology. Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/6r24c7cb
III-V optoelectronic device integration in a CMOS post-process compatible manner is important for the intimate integration of silicon-based electronic and photonic integrated circuits. The low temperature, self-catalyzed growth of high crystalline qu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::e014dd37eca508933871cb77a5a45818
http://www.escholarship.org/uc/item/6r24c7cb
http://www.escholarship.org/uc/item/6r24c7cb
Autor:
Ko, Wai Son, Bhattacharya, Indrasen
Publikováno v:
Ko, Wai Son; & Bhattacharya, Indrasen. (2016). Ultrahigh Responsivity-Bandwidth Product in a Compact InP Nanopillar Phototransistor Directly Grown on Silicon. Scientific Reports, 6. UC Office of the President: Multicampus Research Programs and Initiatives (MRPI); a funding opportunity through UC Research Initiatives (UCRI). Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/5km0s504
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::2ec323af8d87920bca2b8f22d8e28624
http://www.escholarship.org/uc/item/5km0s504
http://www.escholarship.org/uc/item/5km0s504
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.