Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"Bhattacharjee, Shubhadeep"'
Autor:
Weston, Astrid, Castanon, Eli G, Enaldiev, Vladimir, Ferreira, Fabio, Bhattacharjee, Shubhadeep, Xu, Shuigang, Corte-Leon, Hector, Wu, Zefei, Clark, Nickolas, Summerfield, Alex, Hashimoto, Teruo, Gao, Yunze, Wang, Wendong, Hamer, Matthew, Read, Harriet, Fumagalli, Laura, Kretinin, Andrey V, Haigh, Sarah J., Kazakova, Olga, Geim, A. K., Fal'ko, Vladimir I., Gorbachev, Roman
Twisted heterostructures of two-dimensional crystals offer almost unlimited scope for the design of novel metamaterials. Here we demonstrate a room-temperature ferroelectric semiconductor that is assembled using mono- or few- layer MoS2. These van de
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2108.06489
Autor:
Berdyugin, Alexey I., Xin, Na, Gao, Haoyang, Slizovskiy, Sergey, Dong, Zhiyu, Bhattacharjee, Shubhadeep, Kumaravadivel, P., Xu, Shuigang, Ponomarenko, L. A., Holwill, Matthew, Bandurin, D. A., Kim, Minsoo, Cao, Yang, Greenaway, M. T., Novoselov, K. S., Grigorieva, I. V., Watanabe, K., Taniguchi, T., Fal'ko, V. I., Levitov, L. S., Kumar, R. Krishna, Geim, A. K.
Publikováno v:
Science 375, 430-433 (2022)
In thermodynamic equilibrium, current in metallic systems is carried by electronic states near the Fermi energy whereas the filled bands underneath contribute little to conduction. Here we describe a very different regime in which carrier distributio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.12609
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices ( Volume: 63, Issue: 6, June 2016 )
Variability and lack of control in the nature of contacts between metal/MoS2 interface is a major bottleneck in the realisation of high-performance devices based on layered materials for several applications. In this letter, we report on the reductio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1508.03795
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Ganapathi, Kolla L., Bhattacharjee, Shubhadeep, Bhat, Navakanta, Nath, Digbijoy N.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 63, no. 2, pp. 767-772, Feb. 2016
An optical phonon limited velocity model has been employed to investigate high-field transport in a selection of layered 2D materials for both, low-power logic switches with scaled supply voltages, and high-power, high-frequency transistors. Drain cu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1508.02828
Autor:
Bhattacharjee, Shubhadeep1,2 s.bhattacharjee@tyndall.ie, Wigchering, Rient1, Manning, Hugh G.3, Boland, John. J.3, Hurley, Paul K.1 paul.hurley@tyndall.ie
Publikováno v:
Scientific Reports. 7/22/2020, Vol. 10 Issue 1, p1-8. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.