Zobrazeno 1 - 10 of 49 pro vyhledávání: '"Bhat KN"'
1
Report
An Early In-Situ Stress Signature of the AlN-Si Pre-growth Interface for Successful Integration of Nitrides with (111) Si
Autor: Chandrasekar, Hareesh, Mohan, Nagaboopathy, Bardhan, Abheek, Bhat, KN, Bhat, Navakanta, Ravishankar, N, Raghavan, Srinivasan
Publikováno v: Appl. Phys. Lett. 103, 211902 (2013)
The integration of MOCVD grown group III-A nitride device stacks on Si (111) substrates is critically dependent on the quality of the first AlN buffer layer grown. A Si surface that is both oxide-free and smooth is a primary requirement for nucleatin
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1708.03809
Zobrazit plný text záznamu
4
Electrical and Reliability Studies of 'Wet $N_2O$' Tunnel Oxides Grown on Silicon for Flash Memory Applications
Autor: Babu, Naseer P, Govind, G, Prasad, SMS, Bhat, KN
Publikováno v: IndraStra Global.
In this paper, we report the electrical characteristics and reliability studies on tunnel oxides fabricated by "wet $N_2O$" oxidation of silicon in an ambient of water vapor and $N_2O$ at a furnace temperature of $800^oC$. Tunnel oxides that have an
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e670bde92ab38182ee9924ef65153370
https://igi.indrastra.com/items/show/184931
Zobrazit plný text záznamu
5
Wafer bonding - A powerful tool for MEMS
Autor: Bhat, KN, Gupta, Das A, Rao, PRS, Gupta, Das N, Bhattacharya, E, Sivakumar, K, Kumar, Vinoth V, Anitha, Helen L, Joseph, JD, Madhavi, SP, Natarajan, K
Publikováno v: IndraStra Global.
Wafer bonding techniques play a key role in the present day silicon bulk micromachining for MEMS based sensors and actuators. Various silicon wafer bonding techniques and their role on MEMS devices such as pressure sensors, accelerometers and micropu
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::c42481d618910dfd49d543b51bb3f634
https://igi.indrastra.com/items/show/184873
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje