Zobrazeno 1 - 10
of 525
pro vyhledávání: '"Bhat, Navakanta"'
Autor:
Khandelwal, Upanya, Sandilya, Rama Satya, Rai, Rajeev Kumar, Sharma, Deepak, Mahapatra, Smruti Rekha, Mondal, Debasish, Bhat, Navakanta, Aetkuri, Naga Phani, Avasthi, Sushobhan, Chandorkar, Saurabh, Nukala, Pavan
Biological neurons are electro-mechanical systems, where the generation and propagation of an action potential is coupled to generation and transmission of an acoustic wave. Neuristors, such as VO2, characterized by insulator-metal transition (IMT) a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.14367
Autor:
Rao, Ankit, Sanjay, Sooraj, Ahmadi, Majid, Venugopalrao, Anirudh, Bhat, Navakanta, Kooi, Bart, Raghavan, Srinivasan, Nukala, Pavan
Networks and systems which exhibit brain-like behavior can analyze information from intrinsically noisy and unstructured data with very low power consumption. Such characteristics arise due to the critical nature and complex interconnectivity of the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.01619
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 10 December 2022 926
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Bhat, K N, Rangarajan, Muralidharan, Raghavan, Srinivasan, Bhat, Navakanta
Publikováno v:
Scientific Reports 7, Article number: 15749 (2017)
The performance of GaN-on-Silicon electronic devices is severely degraded by the presence of a parasitic conduction pathway at the nitride-substrate interface which contributes to switching losses and lower breakdown voltages. The physical nature of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.03324
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 5 April 2022 899
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Mohan, Nagaboopathy, Bardhan, Abheek, Bhat, KN, Bhat, Navakanta, Ravishankar, N, Raghavan, Srinivasan
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 103, 211902 (2013)
The integration of MOCVD grown group III-A nitride device stacks on Si (111) substrates is critically dependent on the quality of the first AlN buffer layer grown. A Si surface that is both oxide-free and smooth is a primary requirement for nucleatin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.03809
Dielectric Engineering of HfO2 Gate Stacks Towards Normally-ON and Normally-OFF GaN HEMTs on Silicon
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Kumar, Sandeep, Ganapathi, K. L., Prabhu, Shreesha, Dolmanan, Surani Bin, Tripathy, Sudhiranjan, Raghavan, Srinivasan, Bhat, K. N., Mohan, Sangeneni, Muralidharan, R., Bhat, Navakanta, Nath, Digbijoy N.
We report on the interfacial electronic properties of HfO2 gate dielectrics both, with GaN towards normally-OFF recessed HEMT architectures and the AlGaN barrier for normally-ON AlGaN/GaN MISHEMTs for GaN device platforms on Si. A conduction band off
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.03811