Zobrazeno 1 - 10
of 143
pro vyhledávání: '"Bhat, K N"'
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Bhat, K N, Rangarajan, Muralidharan, Raghavan, Srinivasan, Bhat, Navakanta
Publikováno v:
Scientific Reports 7, Article number: 15749 (2017)
The performance of GaN-on-Silicon electronic devices is severely degraded by the presence of a parasitic conduction pathway at the nitride-substrate interface which contributes to switching losses and lower breakdown voltages. The physical nature of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.03324
Dielectric Engineering of HfO2 Gate Stacks Towards Normally-ON and Normally-OFF GaN HEMTs on Silicon
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Kumar, Sandeep, Ganapathi, K. L., Prabhu, Shreesha, Dolmanan, Surani Bin, Tripathy, Sudhiranjan, Raghavan, Srinivasan, Bhat, K. N., Mohan, Sangeneni, Muralidharan, R., Bhat, Navakanta, Nath, Digbijoy N.
We report on the interfacial electronic properties of HfO2 gate dielectrics both, with GaN towards normally-OFF recessed HEMT architectures and the AlGaN barrier for normally-ON AlGaN/GaN MISHEMTs for GaN device platforms on Si. A conduction band off
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.03811
This work evaluates the performance of carbon nanotube field effect transistors (CNTFET) using few layer graphene as the contact electrode material. We present the experimental results obtained on the barrier height at CNT graphene junction using tem
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1611.05246
Publikováno v:
IETE Journal of Research; Apr2024, Vol. 70 Issue 4, p4073-4082, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rana, Vaibhav, Gangwar, Pratisha, Ramesh, Akhil K., Sharma, Tarun, Bhat, K. N., Nayak, M. M., Das, Samaresh, Singh, Pushpapraj
Publikováno v:
IEEE Sensors Journal; 10/1/2022, Vol. 22 Issue 19, p18542-18549, 8p