Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"Bharadwaj, Shyam"'
Autor:
van Deurzen, Len, Ruiz, Mikel Gómez, Lee, Kevin, Turski, Henryk, Bharadwaj, Shyam, Page, Ryan, Protasenko, Vladimir, Huili, Xing, Lähnemann, Jonas, Jena, Debdeep
Publikováno v:
J. Phys. D: Appl. Phys. 54, 495106 (2021)
This report classifies emission inhomogeneities that manifest in InGaN quantum well blue light-emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on free-standing GaN substrates. By a combination of spatially resolved electroluminescence
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.10809
Autor:
Bharadwaj, Shyam, Miller, Jeffrey, Lee, Kevin, Lederman, Joshua, Siekacz, Marcin, Xing, Huili, Jena, Debdeep, Skierbiszewski, Czesław, Turski, Henryk
Recently, the use of bottom-TJ geometry in LEDs, which achieves N-polar-like alignment of polarization fields in conventional metal-polar orientations, has enabled enhancements in LED performance due to improved injection efficiency. Here, we elucida
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.03532
Autor:
Cho, YongJin, Bharadwaj, Shyam, Hu, Zongyang, Nomoto, Kazuki, Jahn, Uwe, Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep
Blue light-emitting diodes (LEDs) consisting of a buried n+-p+ GaN tunnel junction, (In,Ga)N multiple quantum wells (MQWs) and a n+-GaN top layer are grown on single-crystal Ga-polar n+-GaN bulk wafers by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The (
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.07708
The frozen internal polarization-induced electric fields due to broken inversion symmetry in all conventional blue and green nitride semiconductor light emitting semiconductor quantum well heterostructures point in a direction opposite to what is des
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.01897
Autor:
Islam, SM, Lee, Kevin, Verma, Jai, Protasenko, Vladimir, Rouvimov, Sergei, Bharadwaj, Shyam, Xing, Huili, Jena, Debdeep
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 110, 041108 (2017)
Electrically injected deep ultra-violet (UV) emission is obtained using monolayer (ML) thin GaN/AlN quantum structures as active regions. The emission wavelength is tuned by controlling the thickness of ultrathin GaN layers with monolayer precision u
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1610.05651
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/28/2019, Vol. 125 Issue 20, pN.PAG-N.PAG, 11p, 2 Diagrams, 7 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.