Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"Beyer, Armand"'
Autor:
Liao, Zhongquan, Gall, Martin, Yeap, Kong Boon, Sander, Christoph, Mühle, Uwe, Gluch, Jürgen, Standke, Yvonne, Aubel, Oliver, Vogel, Norman, Hauschildt, Meike, Beyer, Armand, Engelmann, Hans-Jürgen, Zschech, Ehrenfried
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2 April 2015 137:47-53
Autor:
Kong Boon Yeap, Gall, Martin, Zhongquan Liao, Sander, Christoph, Muehle, Uwe, Justison, Patrick, Aubel, Oliver, Hauschildt, Meike, Beyer, Armand, Vogel, Norman, Zschech, Ehrenfried
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 115 Issue 12, p124101-1-124101-7, 7p, 1 Color Photograph, 3 Black and White Photographs, 1 Diagram, 3 Graphs
Publikováno v:
In Solar Energy Materials and Solar Cells 2000 61(2):127-134
Autor:
Liao, Zhongquan, Gall, Martin, Yeap, Kong Boon, Sander, Christoph, Clausner, André, Mühle, Uwe, Gluch, Jürgen, Standke, Yvonne, Aubel, Oliver, Beyer, Armand, Hauschildt, Meike, Zschech, Ehrenfried
The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. The aggressive scaling of feature sizes, both on devices and interconnects, leads to serious cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid_dedup__::a8ffcca5cf201351f0e0275696149767
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/240933
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/240933
Autor:
Liao, Zhongquan, Gall, Martin, Yeap, Kong Boon, Sander, Christoph, Aubel, Oliver, Mühle, Uwe, Gluch, Jürgen, Niese, Sven, Standke, Yvonne, Rosenkranz, Rüdiger, Löffler, Markus, Vogel, Norman, Beyer, Armand, Engelmann, Hans Jürgen, Guttmann, Peter, Schneider, Gerhard, Zschech, Ehrenfried
The time dependent dielectric breakdown (TDDB) in copper/ultra-low-k on-chip interconnect stacks of integrated circuits has become one of the most critical reliability concerns in recent years. In this paper, a novel experimental in situ microscopy a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::3fd2c7e635a485e6011f5f4eb4361285
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/236159
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/236159
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zschech, Ehrenfried, Liao, Zhongquan, Gall, Martin, Yeap, Kong Boon, Sander, Christoph, Aubel, Oliver, Mühle, Uwe, Gluch, Jürgen, Niese, Sven, Standke, Yvonne, Rosenkranz, Rüdiger, Löffler, Markus, Vogel, Norman, Beyer, Armand, Engelmann, Hans‐Jürgen, Guttmann, Peter, Schneider, Gerd
Publikováno v:
Advanced Engineering Materials; May2014, Vol. 16 Issue 5, p486-493, 8p
Autor:
Yeap, Kong Boon, Gall, Martin, Sander, Christoph, Niese, Sven, Liao, Zhongquan, Ritz, Yvonne, Rosenkranz, Rudiger, Muhle, Uwe, Gluch, Jurgen, Zschech, Ehrenfried, Aubel, Oliver, Beyer, Armand, Hennesthal, Christian, Hauschildt, Meike, Talut, Georg, Poppe, Jens, Vogel, Norman, Engelmann, Hans-Jurgen, Stauffer, Douglas, Major, Ryan
Publikováno v:
2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS); 2013, p2F.1-2F.1-2F.1.5, 0p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.