Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"Beuscher, F."'
Autor:
Kristensen, A., Bruus, H., Hansen, A. E., Jensen, J. B., Lindelof, P. E., Marckmann, C. J., Nygard, J., Sorensen, C. B., Beuscher, F., Forchel, A., Michel, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 62, 10950 - 10957 (2000)
The 0.7 (2e^2/h) conductance anomaly is studied in strongly confined, etched GaAs/GaAlAs quantum point contacts, by measuring the differential conductance as a function of source-drain and gate bias as well as a function of temperature. We investigat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0005082
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures May 2000 7(3-4):772-775
Publikováno v:
Conference Proceedings Eleventh International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM'99) (Cat No99CH36362); 1999, p527-530, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Worschech, L., Beuscher, F.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 7/26/1999, Vol. 75 Issue 4, p578, 3p, 1 Chart, 5 Graphs
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.