Zobrazeno 1 - 6 of 6 pro vyhledávání: '"Bestwick, T. D."'
1
Akademický článek
Photoluminescence characterization of plasma exposed silicon surfaces.
Autor: Henry, A., Monemar, B., Lindström, J. L., Bestwick, T. D., Oehrlein, G. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1991, Vol. 70 Issue 10, p5597, 7p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Nonintrusive wafer temperature measurement using in situ ellipsometry.
Autor: Kroesen, G. M. W., Oehrlein, G. S., Bestwick, T. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1991, Vol. 69 Issue 5, p3390, 3p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Studies of the reactive ion etching of SiGe alloys.
Autor: Oehrlein, G. S., Kroesen, G. M. W., de Frésart, E., Zhang, Y., Bestwick, T. D.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1991, Vol. 9 Issue 3, p768-774, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Selective dry etching of silicon with respect to germanium.
Autor: Oehrlein, G. S., Bestwick, T. D., Jones, P. L., Corbett, J. W.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 4/9/1990, Vol. 56 Issue 15, p1436, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje