Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Bester, Mariusz"'
Autor:
Wisz, Grzegorz, Bester, Mariusz, Łabuz, Mirosław, Ruszała, Marta, Potera, Piotr, Płoch, Dariusz, Smertenko, Petro, Yavorskyi, Rostyslav, Nykyruy, Lyubomyr
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 February 2025 682
Autor:
Popovych, Volodymyr D., Böttger, Roman, Heller, Rene, Zhou, Shengqiang, Bester, Mariusz, Cieniek, Bogumil, Mroczka, Robert, Lopucki, Rafal, Sagan, Piotr, Kuzma, Marian
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 15 March 2018 419:26-31
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nukleonika, Vol 60, Iss 3, Pp 385-388 (2015)
The difficulty in determining the electron paramagnetic resonance (EPR) line parameters of ferromagnetic semiconductors has been addressed. For these materials, the resonance line is very broad and lies at low resonance field, so that only a part of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ff91aad4cc1c457e80bc790136f36455
Autor:
Wisz, Grzegorz, Sawicka-Chudy, Paulina, Sibiński, Maciej, Yavorskyi, Rostyslav, Łabuz, Mirosław, Płoch, Dariusz, Bester, Mariusz
Publikováno v:
Materials (1996-1944); Aug2023, Vol. 16 Issue 16, p5683, 15p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wisz, Grzegorz, Sawicka-Chudy, Paulina, Wal, Andrzej, Sibiński, Maciej, Potera, Piotr, Yavorskyi, Rostyslaw, Nykyruy, Lyubomyr, Płoch, Dariusz, Bester, Mariusz, Cholewa, Marian, Chernikova, Olena M.
Publikováno v:
Applied Sciences (2076-3417); Mar2023, Vol. 13 Issue 6, p3613, 13p
Publikováno v:
EPJ Web of Conferences, Vol 133, p 03002 (2017)
Ion implantation is a technique which is widely used in industry for unique modification of metal surface for medical applications. In semiconductor silicon technology ion implantation is also widely used for thin layer electronic or optoelectronic d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6314302d8177414fb97b9455919647b0
Autor:
Wisz, Grzegorz, Sawicka-Chudy, Paulina, Sibiński, Maciej, Płoch, Dariusz, Bester, Mariusz, Cholewa, Marian, Woźny, Janusz, Yavorskyi, Rostyslav, Nykyruy, Lyubomyr, Ruszała, Marta
Publikováno v:
Nanomaterials (2079-4991); Apr2022, Vol. 12 Issue 8, pN.PAG-N.PAG, 11p