A novel machine learning workflow to optimize cooling devices grounded in solid-state physics.

Autor: Fernandez JG; Centro Singular de Investigación en Tecnoloxías Intelixentes, USC, 15782, Santiago de Compostela, Spain. popingarcia@gmail.com.; GRADIANT (Galician Research and Development Center for Advanced Telecommunications), 36214, Vigo, Spain. popingarcia@gmail.com., Etesse G; IM2NP, UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Univesité, Marseille, France., Seoane N; Centro Singular de Investigación en Tecnoloxías Intelixentes, USC, 15782, Santiago de Compostela, Spain., Comesaña E; Escola Politécnica Superior de Enxeñaría, USC, 27002, Lugo, Spain., Hirakawa K; Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8505, Japan.; LIMNS-CNRS, IRL 2820, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8505, Japan., Garcia-Loureiro A; Centro Singular de Investigación en Tecnoloxías Intelixentes, USC, 15782, Santiago de Compostela, Spain., Bescond M; IM2NP, UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Univesité, Marseille, France.; Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8505, Japan.

Publikováno v: Scientific reports [Sci Rep] 2024 Nov 18; Vol. 14 (1), pp. 28545. Date of Electronic Publication: 2024 Nov 18.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Influence of electron-phonon interactions in single dopant nanowire transistors.

Autor: Carrillo-Nuñez, H., Bescond, M., Cavassilas, N., Dib, E., Lannoo, M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 16, p164505-1-164505-6, 6p, 1 Diagram, 9 Graphs

Influence of band structure on electron ballistic transport in silicon nanowire MOSFET’s: An atomistic study

Autor: Nehari, K., Cavassilas, N., Autran, J.L., Bescond, M., Munteanu, D., Lannoo, M.

Publikováno v: In Solid State Electronics 2006 50(4):716-721