Zobrazeno 1 - 10
of 75
pro vyhledávání: '"Bertone, D."'
Publikováno v:
Agriscientia; 2023, Vol. 40 Issue 2, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bertone, D.
Publikováno v:
Bertone, D. (1999) In-situ etching technique, inside MOCVD reactor, for fabrication of III-V optoelectronic devices. In: Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1999, 4-5 October 1999, Bologna, Italy.
The challenge of the mass production of optoelectronic devices is to develop new technological process in order to reduce the number of steps and to improve the process yield. In particular, for the realisation of integrated photonic devices, the etc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a2b64aafb5926d1bd6d7a0f724ae4e03
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Charles, Paul M., Agresti, Michele, Burns, Gordon, Berry, Graham M., Bertone, D., Davies, A., Fang, R. Y., Gotta, P., Kompocholis, Constantine, Magnetti, Gloria, Massa, J., Meneghini, Giancarlo, Paoletti, Roberto, Rossi, Giammarco, Taylor, A., Valenti, P., Meliga, Marina
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2003, Issue 1, p154-163, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zanotti-Fregonara, C., Ferrari, C., Lazzarini, L., Salviati, G., Meliga, M., Bertone, D., Fang, R. Y., Morello, G., Paoletti, R.
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 1999, Vol. 588 Issue 1, p1-5, 5p
MOCVD regrowth of InP:Fe, Zn and Si doped on patterned surface by pulsed metalorganic epitaxy (PME).
Autor:
Bertone, D., Fornuto, G.
Publikováno v:
Seventh International Conference on Indium Phosphide & Related Materials; 1995, p279-282, 4p