Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Berthoud, Yoann"'
Autor:
Watanabe, Koh, Komatsu, Misaki, Aoi, Mai, Sakai, Ryota, Tanaka, Satoshi, Nagata, Makoto, Izzo, Danilo, Vogt-Ardatjew, Robert, Leferink, Frank, Berthoud, Yoann, Duchamp, Jean-Marc, Niembro-Martin, Alejandro, Dreina, Emmanuel, Ndagijimana, Fabien, Boyer, Alexandre, Kumar, Awanish, Reddy, G. Shrikanth, Padhi, Jyotibhushan, Matthee, Alexander, Moonen, Niek
Publikováno v:
IEEE Letters on Electromagnetic Compatibility Practice and Applications, 4(4):9980835, 89-91. IEEE
Wide band gap (WBG) semiconductors, such as gallium nitride (GaN), have become popular among switching power modules. In pursuing power conversion efficiency, the power module’s high-speed and high-power operation leads to electromagnetic (EM) nois
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::eea7340e0513f756a7ad930b8690d7fd
https://research.utwente.nl/en/publications/460e55be-5fc4-44ab-9af8-07e842df28e5
https://research.utwente.nl/en/publications/460e55be-5fc4-44ab-9af8-07e842df28e5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.