Zobrazeno 1 - 10
of 1 021
pro vyhledávání: '"Bersuker, G"'
We calculated the optical excitation and thermal ionization energies of oxygen vacancies in m-HfO$_2$ using atomic basis sets, a non-local density functional and periodic supercell. The thermal ionization energies of negatively charged V$^-$ and V$^{
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0605593
Using ab initio density functional total energy and molecular dynamics simulations, we study the effects of various forms of nitrogen post deposition anneal (PDA) on the electric properties of hafnia in the context of its application as a gate dielec
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0410088
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 November 2015 147:281-284
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 November 2015 147:31-36
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2015 111:161-165
Autor:
Min, K.S., Kang, S.H., Kim, J.K., Yum, J.H., Jhon, Y.I., Hudnall, Todd W., Bielawski, C.W., Banerjee, S.K., Bersuker, G., Jhon, M.S., Yeom, G.Y.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering February 2014 114:121-125
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Privitera, S., Bersuker, G., Butcher, B., Kalantarian, A., Lombardo, S., Bongiorno, C., Geer, R., Gilmer, D.C., Kirsch, P.D.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering September 2013 109:75-78
Autor:
Iglesias, V., Martin-Martinez, J., Porti, M., Rodriguez, R., Nafria, M., Aymerich, X., Erlbacher, T., Rommel, M., Murakami, K., Bauer, A.J., Frey, L., Bersuker, G.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering September 2013 109:129-132
Autor:
Min, K.S., Park, C., Kang, C.Y., Park, C.S., Park, B.J., Kim, Y.W., Lee, B.H., Lee, Jack C., Bersuker, G., Kirsch, P., Jammy, R., Yeom, G.Y.
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2013 86:75-78