Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Berezenko, V. I."'
Autor:
Osipov, A. A., Iankevich, Gleb A., Speshilova, A. B., Endiiarova, E. V., Berezenko, V. I., Tyurikova, I. A., Tyurikov, K. S., Alexandrov, S. E.
Publikováno v:
Scientific reports, 10 (1), Art.-Nr.: 19977
In this work, we demonstrate an effective way of deep (30 µm depth), highly oriented (90° sidewall angle) structures formation with sub-nanometer surface roughness (R$_{ms}$ = 0.7 nm) in silicon carbide (SiC). These structures were obtained by dry
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::378539fbfa6bcb6c478eaa407ae76085
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/1000126933
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/1000126933
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Russian Journal of Applied Chemistry; Aug2018, Vol. 91 Issue 8, p1255-1261, 7p
