Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"Bennett, Robert K"'
Autor:
Hoang, Lauren, Khan, Asir Intisar, Bennett, Robert K. A., Kim, Hyun-mi, Zhang, Zhepeng, Hocking, Marisa, Choi, Ae Rim, Oh, Il-Kwon, Mannix, Andrew J., Pop, Eric
Two-dimensional (2D) semiconductors are promising for low-power complementary metal oxide semiconductor (CMOS) electronics, which require ultrathin n- and p-type transistor channels. Among 2D semiconductors, WS2 is expected to have good conduction fo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.18926
The mobility of emerging (e.g., two-dimensional, oxide, organic) semiconductors is commonly estimated from transistor current-voltage measurements. However, such devices often experience contact gating, i.e., electric fields from the gate modulate th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.19022
Autor:
Yang, Jerry A., Bennett, Robert K. A., Hoang, Lauren, Zhang, Zhepeng, Thompson, Kamila J., Michail, Antonios, Parthenios, John, Papagelis, Konstantinos, Mannix, Andrew J., Pop, Eric
Strain engineering can modulate the material properties of two-dimensional (2D) semiconductors for electronic and optoelectronic applications. Recent theory and experiments have found that uniaxial tensile strain can improve the electron mobility of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.10939
Autor:
Bennett, Robert K. A., Pop, Eric
When transistor gate insulators have nanometer-scale equivalent oxide thickness (EOT), the gate capacitance ($C_\textrm{G}$) becomes smaller than the oxide capacitance ($C_\textrm{ox}$) due to the quantum capacitance and charge centroid capacitance o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.03453
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yao, Yuxing, Wilborn, Atalaya Milan, Lemaire, Baptiste, Trigka, Foteini, Stricker, Friedrich, Weible, Alan H., Li, Shucong, Bennett, Robert K. A., Cheung, Tung Chun, Grinthal, Alison, Zhernenkov, Mikhail, Freychet, Guillaume, Wa˛sik, Patryk, Kozinsky, Boris, Lerch, Michael M., Wang, Xiaoguang, Aizenberg, Joanna
Publikováno v:
Science; 12/6/2024, Vol. 386 Issue 6726, p1161-1168, 8p, 5 Diagrams
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Whitaker, William B, Sandoval, Nicholas R, Bennett, Robert K, Fast, Alan G, Papoutsakis, Eleftherios T
Publikováno v:
In Current Opinion in Biotechnology June 2015 33:165-175
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.