Výsledky vyhledávání

Analytical Study of Electron Mobility in Hemts Algan/Gan

Autor: Touhami A, Abdellah Aouaj, A. Bouziane, Benkassou A, A. Nouacry

Publikováno v: Journal of Electrical & Electronic Systems.

The hetero junctions GaN based offer an excellent potential for power applications at high frequency. This is due to the important energy of the bandgap and high saturation velocity of electrons. The high mobility transistors (HEMT - High Electron Mo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6bdb9f21025e862b47033efcdd2ba051
https://doi.org/10.4172/2332-0796.1000169

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání