Zobrazeno 1 - 10 of 90 pro vyhledávání: '"Benemanskaya, G. V."'
1
Akademický článek
Changes in the Electronic Properties of the GaN/Si(111) Surface under Li Adsorption.
Autor: Timoshnev, S. N.1 (AUTHOR) timoshnev@mail.ru, Benemanskaya, G. V.2 (AUTHOR), Mizerov, A. M.1 (AUTHOR), Sobolev, M. S.1 (AUTHOR), Enns, Ya. B.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Nov2023, Vol. 57 Issue 11, p508-512. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Synchrotron Radiation Photoemission Study of the Electronic Structure of the Ultrathin K/AIN Interface.
Autor: Benemanskaya, G. V.1 (AUTHOR), Timoshnev, S. N.2 (AUTHOR) timoshnev@mail.ru, Iluridze, G. N.3 (AUTHOR), Minashvili, T. A.3 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Oct2023, Vol. 57 Issue 10, p451-453. 3p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Electronic Structure of Ultrathin Cs/Bi2Se3 Interfaces.
Autor: Benemanskaya, G. V.1 (AUTHOR), Timoshnev, S. N.2 (AUTHOR) timoshnev@mail.ru
Publikováno v: Technical Physics Letters. 2023 Suppl 4, Vol. 49, pS303-S306. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
A New Type of Carbon Nanostructure on a Vicinal SiС(111)-8° Surface.
Autor: Benemanskaya, G. V.1,2 (AUTHOR) galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru, Dement'ev, P. A.1 (AUTHOR), Kukushkin, S. A.2,3,4 (AUTHOR), Osipov, A. V.2,3 (AUTHOR), Timoshnev, S. N.2,5 (AUTHOR)
Publikováno v: Technical Physics Letters. Mar2019, Vol. 45 Issue 3, p201-204. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
The Electronic Structure of the Cs/n-GaN(0001) Nano-Interface.
Autor: Benemanskaya, G. V.1, Lapushkin, M. N.1 Lapushkin@ms.ioffe.ru, Marchenko, D. E.2, Timoshnev, S. N.3
Publikováno v: Technical Physics Letters. Mar2018, Vol. 44 Issue 3, p247-250. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Changes in the electronic properties of the GaN/Si(111) surface under Li adsorption
Autor: null Enns Y. B., null Sobolev M. S., null Mizerov A. M., null Benemanskaya G. V., null Timoshnev S. N.
Publikováno v: Semiconductors. 56:738
The electronic structure of the epitaxial GaN/Si(111) layers and the Li/GaN/Si(111) interface with a monolayer Li coverage has been studied in situ under ultrahigh vacuum conditions. The experiments were carried out using photoelectron spectroscopy w
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e71f04c26ebe7152887a1f734dc2eb44
https://doi.org/10.21883/sc.2022.10.54902.9904
Zobrazit plný text záznamu
7
Electronic structure of ultrathin Cs/Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Se-=SUB=-3-=/SUB=- interfaces
Autor: null Timoshnev S. N., null Benemanskaya G. V.
Publikováno v: Technical Physics Letters. 48:63
The electronic structure of ultrathin Cs/Bi2Se3 interfaces has been studied by photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. The experiments were carried out in situ in ultrahigh vacuum with submonolayer Cs coverages on Bi2Se3 samples. It w
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9fb632358c828b0edcd0e094622a9584
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.12.54951.19236
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Carbon-Based Aromatic-Like Nanostructures on the Vicinal SiC Surfaces Induced by Ba Adsorption.
Autor: Benemanskaya, G. V., Dementev, P. A., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Timoshnev, S. N.
Publikováno v: ECS Journal of Solid State Science & Technology; 2019, Vol. 8 Issue 6, pM53-M59, 7p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje