Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Bendias, M."'
Autor:
Khouri, T., Pezzini, S., Bendias, M., Leubner, P., Zeitler, U., Hussey, N. E., Buhmann, H., Molenkamp, L. W., Titov, M., Wiedmann, S.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 075303 (2019)
In this study we have measured the magnetoresistance response of inverted HgTe quantum wells in the presence of a large parallel magnetic field up to 33 T is applied. We show that in quantum wells with inverted band structure a monotonically decreasi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1808.02268
Autor:
Khouri, T., Bendias, M., Leubner, P., Brüne, C., Buhmann, H., Molenkamp, L. W., Zeitler, U., Hussey, N. E., Wiedmann, S.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 93 (2016) 125308
We report on the observation of the quantum Hall effect at high temperatures in HgTe quantum wells with a finite band gap and a thickness below and above the critical thickness $d_\textnormal{c}$ that separates a conventional semiconductor from a two
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1605.03342
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.