Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Benazzi D"'
Autor:
Borga, M., Meneghini, M., Benazzi, D., Canato, E., Püsche, R., Derluyn, J., Abid, I., Medjdoub, F., Meneghesso, G., Zanoni, E.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2019 100-101
Autor:
Borga, M., Meneghini, M., Benazzi, D., Puesche, R., Delruyn, J., Abid, I., Medjdoub, F., Meneghesso, G., Zanoni, E.
Publikováno v:
2019 WOCSDICE proceeding
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, cabourg, France
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, cabourg, France
International audience; In this work an extensive analysis on the leakage current of three samples obtained by stopping the epitaxial growth of a GaN-on-Silicon stack is presented. We studied the current leakage behavior and the breakdown voltage as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::dcda45defc221677480b5511109d02e6
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356883
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02356883
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.