Zobrazeno 1 - 10
of 163
pro vyhledávání: '"Belorusov, A."'
Publikováno v:
In Ceramics International 15 March 2024 50(6):9678-9681
Publikováno v:
In Ceramics International 1 August 2021 47(15):21248-21252
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Belorusov, D. A.1 (AUTHOR), Goldman, E. I.1 (AUTHOR), Naryshkina, V. G.1 (AUTHOR), Chucheva, G. V.1 (AUTHOR) gvc@ms.ire.rssi.ru
Publikováno v:
Semiconductors. 2021, Vol. 55 Issue 1, p21-24. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Afanasiev, M. S.1 (AUTHOR), Belorusov, D. A.1 (AUTHOR), Kiselev, D. A.1,2 (AUTHOR), Sivov, A. A.1 (AUTHOR), Chucheva, G. V.1 (AUTHOR) gvc@ms.ire.mssi.ru
Publikováno v:
Semiconductors. Nov2020, Vol. 54 Issue 11, p1445-1449. 5p.
Publikováno v:
Ceramics International. 47:21248-21252
A model of the high-frequency impedance of metal-ferroelectric-semiconductor structures has been composed and analyzed. An algorithm is formulated for recovering the impedance of the potential drop across the ferroelectric layer, band bending in a se
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::623ccc92c15075f406cda66279f4efc1
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.04.129
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.04.129
Publikováno v:
Semiconductors. 55:21-24
The results of investigations of silicon–ultrathin oxide (42 A)–polysilicon structures resistant to field damages are presented. It is found that the total charge exchange of localized electronic states and minority charge carriers concentrated a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b7578d0b9e08d4e6a37d4007d196935
https://doi.org/10.1134/s1063782621010036
https://doi.org/10.1134/s1063782621010036
Publikováno v:
Semiconductors. 54:1445-1449
Films of the composition Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST 80/20) are synthesized on a silicon substrate by the method of the high-frequency sputtering of a polycrystalline target. The results of investigations of the film composition, the electrophysical properti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bfc21175facc31232392c72aa4f1bf9d
https://doi.org/10.1134/s1063782620110032
https://doi.org/10.1134/s1063782620110032