Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"Belli, Matteo"'
Autor:
Longo, Emanuele, Belli, Matteo, Alia, Mario, Rimoldi, Martino, Cecchini, Raimondo, Longo, Massimo, Wiemer, Claudia, Locatelli, Lorenzo, Gubbiotti, Gianluca, Fanciulli, Marco, Mantovan, Roberto
Spin-charge interconversion phenomena at the interface between magnetic materials and topological insulators (TIs) are attracting enormous interest in the research effort towards the development of fast and ultra-low power devices for the future info
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.08124
Autor:
Longo, Emanuele, Wiemer, Claudia, Belli, Matteo, Cecchini, Raimondo, Longo, Massimo, Cantoni, Matteo, Rinaldi, Christian, Overbeek, Michael D., Winter, Charles H., Gubbiotti, Gianluca, Tallarida, Graziella, Fanciulli, Marco, Mantovan, Roberto
Publikováno v:
In Journal of Magnetism and Magnetic Materials 1 September 2020 509
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Prati, Enrico, De Michielis, Marco, Belli, Matteo, Cocco, Simone, Fanciulli, Marco, Kotekar-Patil, Dharmraj, Ruoff, Matthias, Kern, Dieter P., Wharam, David A., Verduijn, Arjan, Tettamanzi, Giuseppe, Rogge, Sven, Roche, Benoit, Wacquez, Romain, Jehl, Xavier, Vinet, Maud, Sanquer, Marc
We report electronic transport on n-type silicon Single Electron Transistors (SETs) fabricated in Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) technology. The n-MOSSETs are built within a pre-industrial Fully Depleted Silicon On Insulator (FDSOI) t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1203.4811
Autor:
Pierre, Mathieu, Wacquez, Romain, Roche, Benoit, Jehl, Xavier, Sanquer, Marc, Vinet, Maud, Prati, Enrico, Belli, Matteo, Fanciulli, Marco
Publikováno v:
Applied Physics Letters 95, 242107 (2009)
We report electronic transport on silicon double and triple dots created with the optimized number of two gates. Using silicon nitride spacers two dots in series are created below two top gates overlapping a silicon nanowire. Coupling between dots is
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1005.5686
We charge an individual donor with electrons stored in a quantum dot in its proximity. A Silicon quantum device containing a single Arsenic donor and an electrostatic quantum dot in parallel is realized in a nanometric field effect transistor. The di
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1006.5406
We measure the temperature of a mesoscopic system consisting of an ultra-dilute two dimensional electron gas at the $Si/SiO_2$ interface in a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) quantum dot by means of the capture and emission
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1002.0037
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liccardo, Letizia, Bordin, Matteo, Sheverdyaeva, Polina M., Belli, Matteo, Moras, Paolo, Vomiero, Alberto, Moretti, Elisa
Publikováno v:
Advanced Functional Materials; 5/25/2023, Vol. 33 Issue 22, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.