Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

An efficient drain-lag model for microwave GaN HEMTs based on ASM-HEMT.

Autor: Beleniotis, Petros, Schnieder, Frank, Krause, Sascha, Haque, Sanaul, Rudolph, Matthias

Publikováno v: International Journal of Microwave & Wireless Technologies; Mar2022, Vol. 14 Issue 2, p134-142, 9p

Investigation of thin InN/GaN heterostructures with in situ SiNx dielectric grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.

Autor: Zervos, Christos, Adikimenakis, Adam, Beleniotis, Petros, Kostopoulos, Athanasios, Androulidaki, Maria, Tsagaraki, Katerina, Kayambaki, Maria, Konstantinidis, George, Georgakilas, Alexandros

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Mar/Apr2017, Vol. 35 Issue 2, p1-5, 5p, 1 Color Photograph, 1 Diagram, 4 Graphs