Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"Beardmore, K."'
Publikováno v:
Int. J. Mod. Phys. C. 9 (1998) 459-470
We simulate dopant profiles for phosphorus implantation into silicon using a new model for electronic stopping power. In this model, the electronic stopping power is factorized into a globally averaged effective charge Z1*, and a local charge density
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/physics/9901057
Autor:
Thean, A.V.-Y., Barr, A.L., White, T.R., Shi, Z.-H., Nguyen, B.-Y., Liu, C.-L., Beardmore, K., Jiang, J.Z.-X., Lerma, P., Duda, E., Sadaka, M., Orlowski, M., White, B.E., Jr., Mogab, J.
Publikováno v:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices, 2003. SISPAD 2003; 2003, p195-198, 4p
Autor:
Obradovic, Borna J., Morris, Steven J., Morris, Michael F., Tian, Shiyang, Wang, Geng, Beardmore, K., Snell, Charles M., Jackson, J., Baummann, S., Tasch Jr., Al F.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1998 Part 2, Issue 1, p301-312, 12p
Autor:
Obradovic, Borna J., Morris, Steven J., Morris, Michael F., Tian, Shiyang, Wang, Geng, Beardmore, K., Snell, Charles M., Jackson, J., Baummann, S., Tasch Jr., Al F.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1997, Issue 1, p342-353, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter; 9/ 5/1994, Vol. 6 Issue 36, p7351-7364, 14p
Publikováno v:
Modelling & Simulation in Materials Science & Engineering; 1994, Vol. 2 Issue 3, p313-328, 16p
Publikováno v:
Langmuir; March 2003, Vol. 19 Issue: 5 p1474-1485, 12p
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry - Part B; April 15, 1999, Vol. 103 Issue: 15 p2850-2861, 12p