Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"Bazhenov, N. L."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bazhenov, N. L.1 (AUTHOR) bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, Mynbaev, K. D.1,2 (AUTHOR), Semakova, A. A.1 (AUTHOR), Zegrya, G. G.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Feb2022, Vol. 56 Issue 2, p43-49. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Semakova, A. A.1 (AUTHOR) antonina.semakova@itmo.ru, Bazhenov, N. L.2 (AUTHOR), Mynbaev, K. D.2 (AUTHOR), Chernyaev, A. V.2,3,4 (AUTHOR), Kizhaev, S. S.3 (AUTHOR), Stoyanov, N. D.3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Jun2021, Vol. 55 Issue 6, p557-561. 5p.
Autor:
Mynbaev, K. D.1 (AUTHOR) mynkad@mail.ioffe.ru, Bazhenov, N. L.1 (AUTHOR), Smirnov, A. M.2 (AUTHOR), Mikhailov, N. N.3 (AUTHOR), Remesnik, V. G.3 (AUTHOR), Yakushev, M. V.3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. 2020, Vol. 54 Issue 12, p1561-1566. 6p.
Autor:
Bazhenov, N. L.1 (AUTHOR) bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, Mynbaev, K. D.1,2 (AUTHOR), Semakova, A. A.2 (AUTHOR), Zegrya, G. G.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Apr2019, Vol. 53 Issue 4, p428-433. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Moiseev K. D., null Mynbaev K. D., null Bazhenov N. L., null Romanov V. V., null Ruzhevich M. S., null Semakova A. A.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:659
The electroluminescent characteristics of the InAs/InAs1-ySby/InAsSbP asymmetric light-emitting diode heterostructures with high InSb mole fraction in the active region (y>0.09) in the temperature range 4.2-300 K have been studied. Stimulated emissio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50152967ee55bc213bd3ee23b2822805
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54131.9925
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54131.9925