Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Bayens, Y."'
Publikováno v:
Santarelli, Alberto ; Vannini, Giorgio ; Borgarino, M. ; Menozzi, Roberto ; Baeyens, Y. ; van der Zanden, Koen (1997) Modelling of low-frequency dispersive effects in GaAs and InP HEMTs. In: Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1997, 3-5 September 1997, Bologna, Italy.
A previously proposed approach for modelling the dispersive effects in III-V FET devices is applied to InP and GaAs HEMTs in order to verify its validity also for heterostructure-based devices and to confirm its technology independence. Both surface
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c483882ee475a0487f054ffc8991a98d
http://amsacta.unibo.it/1234/
http://amsacta.unibo.it/1234/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Radiotherapy and Oncology; 1992, Vol. 25 Issue: 2 p97-97, 1p
Autor:
Bayens YC; Department of Surgical Oncology, Dr. Daniel den Hoed Cancer Centre, Rotterdam, The Netherlands., Wiggers T, Meerwaldt JH, Vroom TM, Van Geel AN
Publikováno v:
The Netherlands journal of surgery [Neth J Surg] 1991 Oct; Vol. 43 (5), pp. 181-3.