Zobrazeno 1 - 10
of 46
pro vyhledávání: '"Bauman, D.A."'
Autor:
Bauman, D.A., Borodkin, A.I., Petrenko, A.A., Panov, D.I., Kremleva, A.V., Spiridonov, V.A., Zakgeim, D.A., Silnikov, M.V., Odnoblyudov, M.A., Romanov, A.E., Bougrov, V.E.
Publikováno v:
In Acta Astronautica March 2021 180:125-129
Autor:
Shirshneva-Vaschenko E.V., Sokura L.A., Shirshnev P.S., Kirilenko D.A., Snezhnaia Zh.G., Bauman D.A., Bougrov V.E., Romanov A.E.
Publikováno v:
Reviews on Advanced Materials Science, Vol 57, Iss 2, Pp 167-174 (2018)
This paper presents the study of oxide film heterojunction made of CuAlCrO2 and ZnO:Al (AZO) deposited on fused quartz by sol-gel spin coating. Transmission electronmicroscopy (TEM) analysis has showed that the solvent, which was used to prepare the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2f039a4a85374cdb87867eeb4044ff44
Autor:
Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent’ev A.A., Mynbaeva K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E.
Publikováno v:
Reviews on Advanced Materials Science, Vol 57, Iss 1, Pp 97-103 (2018)
Results of the studies of the properties of single-crystalline bulk β-Ga2O3 grown from the melt are presented. High chemical purity and phase uniformity of the grown material are demonstrated. Raman spectroscopy studies confirmed low energies of opt
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9b3680e658544bd496840d2a12cfabc3
Autor:
Mynbaeva, M.G., Sitnikova, A.A., Smirnov, A.N., Mynbaev, K.D., Lipsanen, H., Kremleva, A.V., Bauman, D.A., Bougrov, V.E., Romanov, A.E.
Self-organization mechanisms promoting elimination of cracks in thick GaN layers grown on sapphire substrates are considered on the basis of the experimental results on the fabrication of the layers by Hydride Vapor-Phase Epitaxy on MOCVD-grown GaN/A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf74feccf3b1ce1fc2dd3dc579994ae7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Butenko, P.N., Panov, D.I., Kremleva, A.V., Zakgeim, D.A., Nashchekin, A.V., Smirnova, I.G., Bauman, D.A., Romanov, A.E., Bougrov, V.E.
We propose a technuque of liquid-phase growth of (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable and controlled Al content in them. When using the Czochralski growth process Ga2O3 melt was dosed by sapphire seed. By applying of the special growth zone and the r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf0a6d3c64e1670d08e66bd2811b587c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.