Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Batista‐Pessoa, Walter"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Batista Pessoa, Walter, Franck, Max, Dabrowski, Jaroslaw, Wallart, X., Nuns, Nicolas, Lukosius, Mindaugas, Vignaud, Dominique
Publikováno v:
Graphene2022
Graphene2022, Jul 2022, Aachen, Germany
Graphene2022, Jul 2022, Aachen, Germany
International audience; Hexagonal Boron Nitride is a two-dimensional insulator with a wide bandgap (~6 eV), chemically and thermally stable. Its 2D nature makes it exceptionally interesting as an ultrathin barrier, tunneling or passivation layer for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4254::499e981d7992b4160b97b13bea0a825d
https://hal.science/hal-03737768
https://hal.science/hal-03737768
Publikováno v:
Graphene2021
Graphene2021, Oct 2021, Grenoble, France
Graphene2021, Oct 2021, Grenoble, France
National audience; Hexagonal boron nitride (hBN) is an insulator from the 2D materials family receiving an extensive interest in the development of Van der Waals (VdW) heterostructures not only for graphene encapsulation due to its chemical stability
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4254::ae08d8813aa75219446a17db84b75427
https://hal.science/hal-03683202
https://hal.science/hal-03683202
Autor:
Batista Pessoa, Walter
Les nouveaux matériaux de type chalcogénures (à base de S, Se, Te) font l’objet d’un intérêt croissant, non seulement pour les applications mémoires avancées, photonique et photovoltaïque, mais également autour des matériaux dichalcogé
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018SACLS330/document
Autor:
Batista Pessoa, Walter
Publikováno v:
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Paris-Saclay, 2018. English. ⟨NNT : 2018SACLS330⟩
Chalcogenide materials are compounds based on S, Se, and Te elements from group VI of the periodic table. They are receiving an extensive interest not only for applications in resistive memories (PCRAM and CBRAM), photonics and photovoltaics but also
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::750c17c29b234093e25e43db22c2aed1
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01931464/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01931464/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kowalczyk, Philippe, Hippert, Françoise, Bernier, Nicolas, Mocuta, Cristian, Sabbione, Chiara, Batista‐Pessoa, Walter, Noé, Pierre
Publikováno v:
Small; 6/15/2018, Vol. 14 Issue 24, p1-1, 10p
