Zobrazeno 1 - 10
of 559
pro vyhledávání: '"Barry, O."'
Autor:
Cardinael, Pieter, Yadav, Sachin, Hahn, Herwig, Zhao, Ming, Banerjee, Sourish, Esfeh, Babak Kazemi, Mauder, Christof, Sullivan, Barry O, Peralagu, Uthayasankaran, Vohra, Anurag, Langer, Robert, Collaert, Nadine, Parvais, Bertrand, Raskin, Jean-Pierre
Fabrication of low-RF loss GaN-on-Si HEMT stacks is critical to enable competitive front-end-modules for 5G and 6G applications. The main contribution to RF losses is the interface between the III-N layer and the HR Si wafer, more specifically the Al
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.02707
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal d'imagerie diagnostique et interventionnelle February 2024 7(1):8-13
Publikováno v:
EPRA International Journal of Multidisciplinary Research (IJMR). :14-23
The study investigated lecturers’ frustration in examination script assessment in North Central Nigeria. The descriptive correlation survey design was adopted for the study 322 randomly selected lecturers from 6 polytechnics participated as sample.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2fdbd14c9df0c84940bf450f3e33257
https://doi.org/10.36713/epra11091
https://doi.org/10.36713/epra11091
Autor:
Appleby, Michael C., Hughes, Barry O.
Publikováno v:
Behaviour, 1997 Nov 01. 134(13/14), 1019-1030.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/4535488
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.