Zobrazeno 1 - 10 of 150 pro vyhledávání: '"Barrios, P.J."'
1
Akademický článek
Linewidth enhancement factor of InAs/InP quantum dot lasers around 1.5 μm
Autor: Jiao, Z.J., Lu, Z.G., Liu, J.R., Poole, P.J., Barrios, P.J., Poitras, D., Pakulski, G., Caballero, J., Zhang, X.P.
Publikováno v: In Optics Communications 1 October 2012 285(21-22):4372-4375
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
THz optical pulses from a coupled-cavity quantum-dot laser
Autor: Liu, J., Lu, Z.G., Poole, P.J., Barrios, P.J., Poitras, D., Jiao, Z., Zhang, X.P.
Publikováno v: In Optics Communications 2012 285(6):1323-1325
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Ultra-high repetition rate InAs/InP quantum dot mode-locked lasers
Autor: Lu, Z.G., Liu, J.R., Poole, P.J., Jiao, Z.J., Barrios, P.J., Poitras, D., Caballero, J., Zhang, X.P.
Publikováno v: In Optics Communications 2011 284(9):2323-2326
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Continuous-wave operation of type-I GaSb-based narrow ridge waveguide lasers near 3254nm
Autor: Gupta, J.A., Barrios, P.J., Bezinger, A., Waldron, P.
Narrow ridge waveguide (5um) laser diodes were fabricated using type-I InGaAsSb/AlInGaAsSb quantum well active regions on GaSb. The devices operate in continuous-wave mode near 3254nm with a total light output of 7.4mW at 20°C (uncoated facets). ©
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1674::cf7d02f85b8ceee1da2cc74b53eadffb
https://nrc-publications.canada.ca/eng/view/object/?id=eac845fa-4512-40c6-adac-5e16dbd1a373
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
A Digital Twin Framework for Simulating Distributed Energy Resources in Distribution Grids.
Autor: Værbak, Magnus1 (AUTHOR) mavar@mmmi.sdu.dk, Billanes, Joy Dalmacio1 (AUTHOR), Jørgensen, Bo Nørregaard1 (AUTHOR) bnj@mmmi.sdu.dk, Ma, Zheng1 (AUTHOR)
Publikováno v: Energies (19961073). Jun2024, Vol. 17 Issue 11, p2503. 36p.
Zobrazit plný text záznamu
9
External cavity tunable type-I diode laser with continuous-wave singlemode operation at 3.24 um
Autor: Gupta, J.A., Ventrudo, B.F., Waldron, P., Barrios, P.J.
A tunable external cavity laser (ECL) near 3.24 um was developed using semiconductor laser gain chips based on GaSb. The type-1 interband laser diodes were grown by molecular beam epitaxy using 17 nm InGaAsSb compressively-strained quantum wells with
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1674::b3b3953529b5f8450749333e57fa6322
https://nrc-publications.canada.ca/eng/view/object/?id=4c47a403-464f-4989-a0ba-06f60b51dcfe
Zobrazit plný text záznamu
10
Single-mode mid-infrared lasers for gas sensing in the 2-4um range
Autor: Gupta, J.A., Barrios, P.J., Bezinger, A., Waldron, P., Ventrudo, B.F., Lapointe, J., Poitras, D., Storey, C.
Type-I interband laser diodes were developed for trace gas sensing applications in the 2-4um wavelength range. The devices were grown by molecular beam epitaxy on GaSb substrates using InGaAsSb/Al(In)GaAsSb active regions. Tunable, single-mode lasers
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1674::7ab419835bc82d15d7a7e7f711e36f37
https://nrc-publications.canada.ca/eng/view/object/?id=50ab806a-8915-416f-a4b2-1ad86a7258bd
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje