Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Barri, Dalibor"'
Publikováno v:
2022 International Conference on Applied Electronics (AE).
This paper presents an interesting phenomenon related to the effective threshold voltage changes (δV th,eff ) in the diamond layout shape MOS transistors (DLS MOSFETs). Besides it, its analytical expression is presented here for the first time. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8db7ccb49b317a350bbf7e0912905b56
https://doi.org/10.1109/ae54730.2022.9920095
https://doi.org/10.1109/ae54730.2022.9920095
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
KOTE, Vlastimil, VACULA, Patrik, MOLATA, Vladimir, VESELY, Ondrej, TLASKAL, Ondrej, BARRI, Dalibor L., JAKOVENKO, Jiri, HUSAK, Miroslav
Publikováno v:
Radioengineering; Sep2018, Vol. 27 Issue 3, p796-805, 10p