Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Baron, Yoann"'
Autor:
Durand, Alrik, Baron, Yoann, Udvarhelyi, Péter, Cache, Félix, R., Krithika V., Herzig, Tobias, Khoury, Mario, Pezzagna, Sébastien, Meijer, Jan, Hartmann, Jean-Michel, Reboh, Shay, Abbarchi, Marco, Robert-Philip, Isabelle, Gali, Adam, Gérard, Jean-Michel, Jacques, Vincent, Cassabois, Guillaume, Dréau, Anaïs
Among the wealth of single fluorescent defects recently detected in silicon, the G center catches interest for its telecom single-photon emission that could be coupled to a metastable electron spin triplet. The G center is a unique defect where the s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.15069
Autor:
Durand, Alrik, Baron, Yoann, Cache, Félix, Herzig, Tobias, Khoury, Mario, Pezzagna, Sébastien, Meijer, Jan, Hartmann, Jean-Michel, Reboh, Shay, Abbarchi, Marco, Robert-Philip, Isabelle, Gérard, Jean-Michel, Jacques, Vincent, Cassabois, Guillaume, Dréau, Anaïs
Publikováno v:
Physical Review B 110, 2 (2024)
Among the wide variety of single fluorescent defects investigated in silicon, numerous studies have focused on color centers with a zero-phonon line around $1.28 \mu$m and identified to a common carbon-complex in silicon, namely the G center. However
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.07705
Autor:
Lefaucher, Baptiste, Jager, Jean-Baptiste, Calvo, Vincent, Cache, Félix, Durand, Alrik, Jacques, Vincent, Robert-Philip, Isabelle, Cassabois, Guillaume, Baron, Yoann, Mazen, Frédéric, Kerdilès, Sébastien, Reboh, Shay, Dréau, Anaïs, Gérard, Jean-Michel
Generating single photons on demand in silicon is a challenge to the scalability of silicon-on-insulator integrated quantum photonic chips. While several defects acting as artificial atoms have recently demonstrated an ability to generate antibunched
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2310.18121
Autor:
Baron, Yoann, Durand, Alrik, Herzig, Tobias, Khoury, Mario, Pezzagna, Sébastien, Meijer, Jan, Robert-Philip, Isabelle, Abbarchi, Marco, Hartmann, Jean-Michel, Reboh, Shay, Gérard, Jean-Michel, Jacques, Vincent, Cassabois, Guillaume, Dréau, Anaïs
Publikováno v:
Applied Physics Letters 121, 084003 (2022)
We report the fabrication of G centers in silicon with an areal density compatible with single photon emission at optical telecommunication wavelengths. Our sample is made from a silicon-on-insulator wafer which is locally implanted with carbon ions
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.13521
Autor:
Baron, Yoann, Durand, Alrik, Udvarhelyi, Péter, Herzig, Tobias, Khoury, Mario, Pezzagna, Sébastien, Meijer, Jan, Robert-Philip, Isabelle, Abbarchi, Marco, Hartmann, Jean-Michel, Mazzocchi, Vincent, Gérard, Jean-Michel, Gali, Adam, Jacques, Vincent, Cassabois, Guillaume, Dréau, Anaïs
Publikováno v:
ACS Photonics 9, 2337-2345 (2022)
Controlling the quantum properties of individual fluorescent defects in silicon is a key challenge towards advanced quantum photonic devices prone to scalability. Research efforts have so far focused on extrinsic defects based on impurities incorpora
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2108.04283
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Baron, Yoann
Tato práce obsahuje přehled superslitin na bázi niklu, jejich obrábění za vysokého tlaku chladicí kapaliny, týká se také metod optimalizace pro tento typ obrábění a následné analýzy opotřebení nástroje. Tato studie byla vytvořena
Externí odkaz:
http://www.nusl.cz/ntk/nusl-231740
Autor:
Lefaucher, Baptiste, Jager, Jean-Baptiste, Calvo, Vincent, Cache, Félix, Durand, Alrik, Jacques, Vincent, Robert-Philip, Isabelle, Cassabois, Guillaume, Baron, Yoann, Mazen, Frédéric, Kerdilès, Sébastien, Reboh, Shay, Dréau, Anaïs, Gérard, Jean-Michel
Publikováno v:
ACS Photonics; 1/17/2024, Vol. 11 Issue 1, p24-32, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Baron, Yoann, Durand, Alrik, Udvarhelyi, Péter, Herzig, Tobias, Khoury, Mario, Pezzagna, Sébastien, Meijer, Jan, Robert-Philip, Isabelle, Abbarchi, Marco, Hartmann, Jean-Michel, Mazzocchi, Vincent, Gérard, Jean-Michel, Gali, Adam, Jacques, Vincent, Cassabois, Guillaume, Dréau, Anaïs
Publikováno v:
ACS Photonics; 7/20/2022, Vol. 9 Issue 7, p2337-2345, 9p