Disseny d'un cronòmetre i d'un freqüencímetre integrats en un NIOS controlats sobre μClinux

Autor: Gutiérrez i Bravo, Àngel, Barniol i Beumala, Núria, Sacristán Riquelme, Jordi, Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Publikováno v: Recercat: Dipósit de la Recerca de Catalunya
Varias* (Consorci de Biblioteques Universitáries de Catalunya, Centre de Serveis Científics i Acadèmics de Catalunya)
Recercat. Dipósit de la Recerca de Catalunya
instname

Aquest document conté originàriament altre material i/o programari només consultable a la Biblioteca de Ciència i Tecnologia. El projecte que es presenta permet analitzar els avantatges i inconvenients d'una programació orientada a hardware i d'

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5069a341ccb721cdf4200be7837d9b73
http://hdl.handle.net/2072/421050

Caracterització d'oscil·ladors basats en CMOS-M/NEMS i la seva aplicació com a sensors de massa

Autor: Sansa Perna, Marc, Barniol i Beumala, Núria, Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria, Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Publikováno v: Recercat. Dipósit de la Recerca de Catalunya
instname
Recercat: Dipósit de la Recerca de Catalunya
Varias* (Consorci de Biblioteques Universitáries de Catalunya, Centre de Serveis Científics i Acadèmics de Catalunya)

El present projecte tracta sobre la caracterització d'oscil·ladors basats en ressonadors micro/nanoelectromecànics (M/NEMS) i la seva aplicació com a sensors de massa. Els oscil·ladors utilitzats es basen en un pont i una palanca ressoants M/NEM

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3b8f04fc78ac2db78db16838b6b31a99
http://hdl.handle.net/2072/419279

Integrated tunneling sensor for nanoelectromechanical systems

Autor: Sadewasser, Sascha, Abadal Berini, Gabriel, Barniol i Beumala, Núria, Dohn, S., Boisen, A., Fonseca Chácharo, Luis Antonio, Esteve, Jaume, American Physical Society

Publikováno v: Sadewasser, S, Abadal, G, Barniol, N, Dohn, S & Boisen, A 2006, ' Integrated tunneling sensor for nanoelectromechanical systems ', Applied Physics Letters, vol. 89, no. 17, pp. 173101 . https://doi.org/10.1063/1.2362593
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona

In view of the outstanding performance of polycrystalline thin film solar cells on the basis of Cu Ia Se2, the electrical activity at grain boundaries currently receives considerable attention. Recently, Kelvin probe force microscopy KPFM has been ap

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::23d9bfe9f8c21757959b01d23b598172
https://orbit.dtu.dk/en/publications/6cc3aaa5-9e2e-40a0-9eea-c18ba23104b4

Ultrasensitive mass sensor fully integrated with complementary metal-oxide-semiconductor circuitry

Autor: Forsen, E., Abadal Berini, Gabriel, Ghatnekar-Nilsson, S., Teva Meroño, Jordi, Verd Martorell, Jaume, Sandberg, R., Svendsen, W., Pérez Murano, Francesc, Esteve, Jaume, Figueras Costa, Eduardo, Campabadal, Francesca, Montelius, L., Barniol i Beumala, Núria, Boisen, A., American Physical Society

Publikováno v: Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona
Forsén, E S, Abadal, G, Ghatnekar-Nilsson, S, Teva, J, Verd, J, Sandberg, R K, Svendsen, W E, Perez-Murano, F, Esteve, J, Figueras, E, Campabadal, F, Montelius, L, Barniol, N & Boisen, A 2005, ' Ultrasensitive mass sensor fully integrated with complementary metal-oxide-semiconductor circuitry ', Applied Physics Letters, vol. 87, no. 4, pp. 043507 . https://doi.org/10.1063/1.1999838

Nanomechanical resonators have been monolithically integrated on preprocessed complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) chips. Fabricated resonator systems have been designed to have resonance frequencies up to 1.5 MHz. The systems have been cha

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b7092d11f3a482fd6e416d0c8f136191
https://ddd.uab.cat/record/116326

Nondestructive multlple breakdown events in very thin SI02 films

Autor: Suñé, Jordi, Farrés i Berenguer, Esteve, Placencia Millan, Iolanda, Barniol i Beumala, Núria, Martín, Ferran, Aymerich Humet, Xavier, American Physical Society

Publikováno v: Recercat: Dipósit de la Recerca de Catalunya
Varias* (Consorci de Biblioteques Universitáries de Catalunya, Centre de Serveis Científics i Acadèmics de Catalunya)
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona
Recercat. Dipósit de la Recerca de Catalunya
instname

Several breakdown events and multilevel current fluctuations have been observed when ultrathin SiO2 films are subjected to constant-voltage stresses. These breakdown events are sometimes reversible, and consist in a local change of conduction mechani

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d870ca5fc37f58c87e3fa3701dae6ec3
https://ddd.uab.cat/record/116308