Laser writable high-K dielectric for van der Waals nano-electronics

Autor: Peimyoo, N., Barnes, M. D., Mehew, J. D., De Sanctis, A., Amit, I., Escolar, J., Anastasiou, K., Rooney, A. P., Haigh, S. J., Russo, S., Craciun, M. F., Withers, F.

Like silicon-based semiconductor devices, van der Waals heterostructures will require integration with high-K oxides. This is needed to achieve suitable voltage scaling, improved performance as well as allowing for added functionalities. Unfortunatel

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1811.04829

Laser-writable high-k dielectric for van der Waals nanoelectronics

Autor: Peimyoo, N., Barnes, M. D., Mehew, J. D., De Sanctis, A., Amit, I., Escolar, J., Anastasiou, K., Rooney, A. P., Haigh, S. J., Russo, S., Craciun, M. F., Withers, F.

Publikováno v: Science advances, 2019, Vol.5(1), pp.eaau0906 [Peer Reviewed Journal]
Peimyoo, N, Barnes, M D, Mehew, J D, De Sanctis, A, Amit, I, Escolar, J, Anastasiou, K, Rooney, A P, Haigh, S J, Russo, S, Craciun, M F & Withers, F 2019, ' Laser-writable high-k dielectric for van der Waals nanoelectronics ', Science Advances, vol. 5, no. 1, eaau0906 . https://doi.org/10.1126/sciadv.aau0906

Similar to silicon-based semiconductor devices, van der Waals heterostructures require integration with high-k oxides. Here, we demonstrate a method to embed and pattern a multifunctional few-nanometer-thick high-k oxide within various van der Waals

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::82b573228b7ca04dedd491679302d5ff
http://dro.dur.ac.uk/27254/1/27254.pdf

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.