Zobrazeno 1 - 10 of 172 pro vyhledávání: '"Bardwell, J.A."'
2
Akademický článek
Selectively grown AlGaN/GaN HEMTs on Si(1 1 1) substrates for integration with silicon microelectronics
Autor: Haffouz, S., Semond, F., Bardwell, J.A., Lester, T., Tang, H.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2009 311(7):2087-2090
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Mechanisms of ammonia—MBE growth of GaN on SiC for transport devices
Autor: Tang, H., Rolfe, S., Semond, F., Bardwell, J.A., Baribeau, J.M.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2009 311(7):2091-2095
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Monitoring the self-heating in a high frequency GaN HFET
Autor: McAlister, S.P., Bardwell, J.A., Haffouz, S., Tang, H.
Publikováno v: In Solid State Electronics 2006 50(6):1046-1050
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Structure characterization of AlN buffer layers grown on (0 0 0 1) sapphire by magnetron sputter epitaxy
Autor: Tang, H *, Webb, J.B, Moisa, S, Bardwell, J.A, Rolfe, S
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2002 244(1):1-5
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Defect reduction in GaN epilayers and HFET structures grown on (0 0 0 1)sapphire by ammonia MBE
Autor: Webb, James B. *, Tang, H., Bardwell, J.A., Moisa, S., Peters, C., MacElwee, T.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2001 230(3):584-589
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Reproducibility of growing AlGaN/GaN high-electron-mobility-transistor heterostructures by molecular-beam epitaxy
Autor: Tang, H. *, Webb, J.B., Bardwell, J.A., Rolfe, S., MacElwee, T.
Publikováno v: In Solid State Electronics 2000 44(12):2177-2182
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje