Zobrazeno 1 - 10 of 44 pro vyhledávání: '"Baranskii, P. I."'
1
Akademický článek
ELECTRON SCATTERING ANISOTROPY IN SILICON.
Autor: Gaidar, G. P.1 gaydar@kinr.kiev.ua, Baranskii, P. I.2
Publikováno v: Journal of Physical Studies. 2021, Vol. 25 Issue 1, p1602-1-1602-9. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
INFLUENCE OF GAMMA IRRADIATION (60Co) ON THE ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF n-Ge WITH A DIFFERENT DOPING LEVEL AND WITH OXYGEN IMPURITY IN DIFFERENT STATES.
Autor: Gaidar, G. P.1 gaydar@kinr.kiev.ua, Baranskii, P. I.2
Publikováno v: Journal of Physical Studies. 2019, Vol. 23 Issue 4, p1-8. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals.
Autor: Gaidar, G. P.1 gaydar@kinr.kiev.ua, Baranskii, P. I.2
Publikováno v: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2017, Vol. 20 Issue 1, p123-128. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants.
Autor: Baranskii, P. I.1, Gaidar, G. P.2 gaydar@kinr.kiev.ua
Publikováno v: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2016, Vol. 19 Issue 1, p39-43. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Effect of Different Heat Treatment Regimes on Electrical Properties and Microstructure of n-Si.
Autor: Gaidar, G. P., Baranskii, P. I.
Publikováno v: Journal of Nano- & Electronic Physics; 2020, Vol. 12 Issue 4, p1-5, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity.
Autor: Baranskii, P. I.1, Gaidar, G. P.2 gaydar@kinr.kiev.ua
Publikováno v: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2012, Vol. 15 Issue 3, p218-222. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Mass-spectrometric investigations of gas evolution from silicon in electron beam melting.
Autor: Asnis, Yu. A.1, Baranskii, P. I.2, Babich, V. M.2, Zabolotin, S. P.1, Ptushinskii, Yu. G.3, Sukretnyi, V. G.3
Publikováno v: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2006, Vol. 9 Issue 2, p4-7. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Determination of the Degree of Homogeneity for n-Ge Crystals by Measurements of Magnetoresistance in Classically Weak Magnetic Fields
Autor: Gaidar, G. P., Baranskii, P. I.
Publikováno v: Physics and Chemistry of Solid State; Vol 16, No 3 (2015); 469-474
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 16, No 3 (2015); 469-474
In a wide range of values of the resistivity 0.0212 £ r £ 35 Ohm×cm for n-Ge crystals with known crystallographic orientation the ratio M100 2 100 1 M100 2 1 M110 110 M110 º = º , which was predicted by the theory, was experimentally confirmed.
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=vasylstefany::ec2d22d7f5428fcf9a8d76bca96b3dec
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/778
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje