Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Bannow, Lars C."'
The LDA-1/2 method is employed in density functional theory calculations for the electronic structure of III-V dilute bismide systems. For the representative example of Ga(SbBi) with Bi concentrations below $10 \%$, it is shown that this method works
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2008.04771
For opto-electronic and photo-voltaic applications of perovskites, it is essential to know the optical properties and intrinsic losses of the used materials. A systematic microscopic analysis is presented for the example of methylammonium lead iodide
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.11225
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 111, 182103 (2017)
The electronic structure of bulk GaAs$_{1-x}$Bi$_x$ systems for different atomic configurations and Bi concentrations is calculated using density functional theory. The results show a Bi-induced splitting between the light-hole and heavy-hole bands a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.09983
Autor:
Rosenow, Phil, Bannow, Lars C., Fischer, Eric W., Stolz, Wolfgang, Volz, Kerstin, Koch, Stephan W., Tonner, Ralf
Publikováno v:
Phys. Rev. B 97, 075201 (2018)
While being of persistent interest for the integration of lattice-matched laser devices with silicon circuits, the electronic structure of dilute nitride III/V-semiconductors has presented a challenge to ab initio computational approaches. The root o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.10763
Autor:
Bannow, Lars C., Rubel, Oleg, Rosenow, Phil, Badescu, Stefan C., Hader, Jorg, Moloney, Jerome V., Tonner, Ralf, Koch, Stephan W.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 93, 205202 (2016)
Anion substitution with bismuth (Bi) in III-V semiconductors is an effective method for experimental engineering of the band gap Eg at low Bi concentrations, in particular in gallium arsenide (GaAs). The inverse Bi-concentration dependence of Eg has
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.02112
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Moloney, Jerome V., Jorg Hader, Bannow, Lars C., Oleg Rubel, Phil Rosenow, Ralf Tonner-Zech, Badescu, Stefan C., Koch, Stephan W.
Publikováno v:
Web of Science
Anion substitution with bismuth (Bi) in III-V semiconductors is an effective method for experimental engineering of the band gap Eg at low Bi concentrations, in particular in gallium arsenide (GaAs). The inverse Bi-concentration dependence of Eg has
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d3999077a090ec3d339e07d8cd023854
http://arxiv.org/abs/1602.02112
http://arxiv.org/abs/1602.02112
Autor:
Bannow, Lars C.1 lars.bannow@physik.uni-marburg.de, Rubel, Oleg2, Badescu, Stefan C.3, Rosenow, Phil4, Hader, Jörg5, Moloney, Jerome V.5, Tonner, Ralf4, Koch, Stephan W.1
Publikováno v:
Physical Review B. May2016, Vol. 93 Issue 20, p1-1. 1p.
