Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Banfi, E. G."'
Autor:
Tjeertes, D., Vela, A., Verstijnen, T. J. F., Banfi, E. G., van Veldhoven, P. J., Menzes, M. G., Capaz, R. B., Koiller, B., Koenraad, P. M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 104, 125433 (2021)
Silicon (Si) donors in GaAs have been the topic of extensive studies since Si is the most common and well understood n-type dopant in III-V semiconductor devices and substrates. The indirect bandgap of AlAs compared to the direct one of GaAs leads to
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.05695
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.