Zobrazeno 1 - 10
of 4 558
pro vyhledávání: '"Banerjee, P K"'
Autor:
Pandey, Nilesh, Basu, Dipanjan, Chauhan, Yogesh Singh, Register, Leonard F., Banerjee, Sanjay K.
This study employs advanced phase-field modeling to investigate Si-based qubit MOSFETs, integrating electrostatics and quantum mechanical effects. We adopt a comprehensive modeling approach, utilizing full-wave treatment of the Schrodinger equation s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.04339
The objective of this work is to study the effects of charge redistribution, applied layer-normal electric fields, applied strain, and layer engineering on the band alignment of Black Phosphorus (BP)/Molybdenum disulphide (MoS2) heterostructure throu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.15730
The spin Hall effect (SHE) is highly promising for spintronic applications, and the design of materials with large SHE can enable ultra-low power memory technology. Recently, 5d-transition metal oxides have been shown to demonstrate a large SHE. Here
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2010.12942
Autor:
Roy, Anupam, Dey, Rik, Pramanik, Tanmoy, Rai, Amritesh, Schalip, Ryan, Majumder, Sarmita, Guchhait, Samaresh, Banerjee, Sanjay K
Publikováno v:
Phys. Rev. Materials 4, pp. 025001 (2020)
Chromium selenide thin films were grown epitaxially on Al${_2}$O${_3}$(0001) and Si(111)-(7${\times}$7) substrates using molecular beam epitaxy (MBE). Sharp streaks in reflection high-energy electron diffraction and triangular structures in scanning
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2003.01199
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Science, 117, 11878-11886 (2020)
Spin Hall effect (SHE), a mechanism by which materials convert a \textit{charge} current into a \textit{spin} current, invokes interesting physics and promises to empower transformative, energy-efficient memory technology. However, fundamental questi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.07544
The effects of contact geometry and ideality on InGaAs and Si nano-scale n-channel FinFET performance are studied using a quantum-corrected semi-classical Monte Carlo method. Illustrative end, saddle/slot, and raised source/drain contacts were modele
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.12281